Datasheet下载- 型号： SI7634BDP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7634BDP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7634BDP-T1-GE3价格参考。VishaySI7634BDP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7634BDP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7634BDP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7634BDP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于电池供电设备中的负载开关、电源切换和电压调节，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理系统。 2. 负载开关与热插拔控制：用于服务器、通信设备和工业控制系统中，实现对负载的快速、安全开关控制，防止电流冲击。 3. 电机控制与继电器驱动：在小型电机、继电器或电磁阀控制电路中，作为高效的开关元件，实现对执行机构的精确控制。 4. DC-DC 转换器：用于同步整流或功率转换电路中，提高转换效率，常见于电源适配器、LED 驱动电源等应用。 5. 汽车电子系统：如车载娱乐系统、电动窗控制、LED 照明模块等，满足汽车环境中对可靠性和效率的要求。 该 MOSFET 具有低导通电阻、小型封装和良好的热性能，适用于空间受限且对效率要求较高的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8MOSFET 30V 40A 48W 5.4mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 22.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7634BDP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7634BDP-T1-GE3SI7634BDP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 5 W |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 54 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 54 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns, 12 ns |
| 下降时间 | 8 ns, 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3150pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 68nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.4 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7634BDP-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7634BDP-GE3 |
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