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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7634BDP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7634BDP-T1-GE3价格参考。VishaySI7634BDP-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI7634BDP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7634BDP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7634BDP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于电池供电设备中的负载开关、电源切换和电压调节,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理系统。 2. 负载开关与热插拔控制:用于服务器、通信设备和工业控制系统中,实现对负载的快速、安全开关控制,防止电流冲击。 3. 电机控制与继电器驱动:在小型电机、继电器或电磁阀控制电路中,作为高效的开关元件,实现对执行机构的精确控制。 4. DC-DC 转换器:用于同步整流或功率转换电路中,提高转换效率,常见于电源适配器、LED 驱动电源等应用。 5. 汽车电子系统:如车载娱乐系统、电动窗控制、LED 照明模块等,满足汽车环境中对可靠性和效率的要求。 该 MOSFET 具有低导通电阻、小型封装和良好的热性能,适用于空间受限且对效率要求较高的应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8MOSFET 30V 40A 48W 5.4mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 22.5 A |
Id-连续漏极电流 | 22.5 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7634BDP-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI7634BDP-T1-GE3SI7634BDP-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 5 W |
Pd-功率耗散 | 5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 54 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 54 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 10 ns, 12 ns |
下降时间 | 8 ns, 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.6V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3150pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 68nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.4 毫欧 @ 15A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SI7634BDP-T1-GE3DKR |
典型关闭延迟时间 | 34 ns |
功率-最大值 | 48W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI7634BDP-GE3 |