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Datasheet下载- 型号： FCPF11N60
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCPF11N60由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCPF11N60价格参考。Fairchild SemiconductorFCPF11N60封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FCPF11N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCPF11N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCPF11N60 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源 (SMPS) - FCPF11N60 的高电压耐受能力（600V Vds）使其非常适合用于开关电源的主开关或同步整流器。例如，在 AC-DC 或 DC-DC 转换器中，该器件可以用作高频开关，实现高效的功率转换。 2. 电机驱动 - 在电机控制应用中，FCPF11N60 可用作驱动电路中的功率开关。它适用于中小功率的直流电机、步进电机或无刷直流电机的驱动场景，能够承受较高的电压波动并提供稳定的电流输出。 3. 逆变器 - 该 MOSFET 常用于光伏逆变器、UPS（不间断电源）或其他类型的逆变器中。在这些设备中，MOSFET 作为功率开关元件，将直流电转换为交流电，支持高效的能量传输。 4. 负载开关 - FCPF11N60 可用于各种负载开关应用，例如汽车电子系统中的继电器替代方案。其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 0.25 Ω）有助于减少功耗并提高系统的整体效率。 5. PFC (功率因数校正) 电路 - 在需要功率因数校正的应用中，FCPF11N60 可用作升压开关，帮助改善输入电流波形与电压波形之间的相位差，从而提升功率因数。 6. 保护电路 - 该器件也可用于过流保护、短路保护等安全电路中。通过快速响应和低导通损耗特性，FCPF11N60 能够有效防止异常情况对系统造成损害。 7. 工业自动化 - 在工业自动化领域，FCPF11N60 可用于控制电磁阀、继电器、LED 照明等负载。其高可靠性和耐用性适合长时间运行的工业环境。 总结 FCPF11N60 凭借其高电压额定值、较低的导通电阻以及出色的热性能，广泛应用于电力电子、工业控制、消费类电子产品和汽车电子等领域。具体选择时需根据实际需求考虑工作条件、散热设计及外围电路匹配等因素。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FMOSFET 600V 11A N-CH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCPF11N60SuperFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCPF11N60 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 36 W |
| Pd-功率耗散 | 36 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 98 ns |
| 下降时间 | 56 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 其它名称 | FCPF11N60_NL |
| 典型关闭延迟时间 | 119 ns |
| 功率-最大值 | 36W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 9.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
| 系列 | FCPF11N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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