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产品简介:
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Texas Instruments 的 CSD13303W1015 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,适用于多种高效率、低电压应用场景。该器件采用 1.5mm × 1mm 的小型封装(W1015),具备低导通电阻和高电流能力,适合空间受限且对性能要求较高的设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统中,实现高效能电能转换与分配。 2. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,用于无人机、机器人、电动工具等设备。 3. 负载开关与热插拔电路:用于服务器、通信设备中,控制电源的通断,防止浪涌电流。 4. LED 照明:作为调光电路中的开关元件,实现高效能、高稳定性的照明控制。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中,用于功率控制与节能设计。 6. 工业自动化:用于 PLC、传感器模块、工业电机控制等场景,提供可靠且高效的开关功能。 该 MOSFET 具备优异的热性能和小型化优势,适用于高密度 PCB 布局,是高性能、低电压系统中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGAMOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 否不受无铅要求限制 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD13303W1015NexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD13303W1015 |
Pd-PowerDissipation | 1.65 W |
Pd-功率耗散 | 1.65 W |
Qg-GateCharge | 3.9 nC |
Qg-栅极电荷 | 3.9 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.85 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 850 mV |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 3.2 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 715pF @ 6V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.7nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 mOhm @ 1.5A、 4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-DSBGA |
典型关闭延迟时间 | 14.7 ns |
功率-最大值 | 1.65W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | NexFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-UFBGA,DSBGA |
封装/箱体 | DSBGA-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 14 S |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 31A (Ta) |
系列 | CSD13303W1015 |
配置 | Single |