Datasheet下载- 型号： TPD4E1U06DBVR
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
TPD4E1U06DBVR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPD4E1U06DBVR由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPD4E1U06DBVR价格参考。Texas InstrumentsTPD4E1U06DBVR封装/规格：TVS - 二极管， 15V (Typ) Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SOT-23-6。您可以下载TPD4E1U06DBVR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPD4E1U06DBVR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TPD4E1U06DBVR是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款低电容、低钳位电压的静电保护二极管阵列，属于TVS（瞬态电压抑制）二极管类别。该器件主要用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、浪涌电压和其他瞬态干扰的影响。 其典型应用场景包括便携式消费类电子产品和接口电路的ESD防护。例如，广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备等产品中的高速数据接口保护，如USB 2.0、HDMI、音频插孔、SIM卡接口、LCD面板连接器等。由于其每个通道具有仅约3.5pF的低输入电容，不会对高速信号完整性造成显著影响，因此非常适合高频信号线路的保护。 TPD4E1U06DBVR采用小型化SOT-23封装，节省PCB空间，适合高密度布局设计。它能承受IEC 61000-4-2接触放电高达±8kV的ESD冲击，并具备快速响应能力，可在纳秒级时间内将瞬态过压钳制到安全水平，有效防止后级IC损坏。 此外，该器件工作温度范围宽（-40°C 至 +125°C），可靠性高，适用于工业、消费及便携式医疗设备等多种环境。综上，TPD4E1U06DBVR是一款高性能、小体积的ESD保护解决方案，特别适用于对空间和信号质量要求严苛的现代电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 5.5VWM 15VC SOT23-6ESD 抑制器 Quad Chnl Hi Spd ESD Protection Device |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Texas Instruments TPD4E1U06DBVR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TPD4E1U06DBVR |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | ESD 抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 其它名称 | 296-35965-2 |
| 击穿电压 | 6.5 V to 8.5 V |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=TPD4E1U06DBVR |
| 功率-峰值脉冲 | 45W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 4 |
| 商标 | Texas Instruments |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-23-6 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C （TA） |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 6.5V |
| 电压-反向关态（典型值） | 5.5V（最小值） |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 15V （标准） |
| 电容 | 0.8 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 3A（8/20µs） |
| 电源线路保护 | 是 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 转向装置（轨至轨） |
| 系列 | TPD4E1U06 |
| 通道 | 4 Channels |
| 钳位电压 | 11 V |
