Datasheet下载- 型号： NUP3112UPMUTAG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NUP3112UPMUTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NUP3112UPMUTAG价格参考。ON SemiconductorNUP3112UPMUTAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NUP3112UPMUTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NUP3112UPMUTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NUP3112UPMUTAG是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双向TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路中的静电放电（ESD）和瞬态电压保护。该器件采用小型DFN封装，具有响应速度快、钳位电压低、可靠性高等特点。 主要应用场景包括： 1. 通信接口保护：适用于USB、HDMI、RS-485等高速通信接口，防止静电和瞬态电压对敏感IC造成损坏。 2. 工业控制设备：用于PLC、传感器、工业计算机等设备中，提升系统在恶劣工业环境下的抗干扰能力和稳定性。 3. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于保护数据线、充电接口免受ESD冲击。 4. 汽车电子系统：应用于车载娱乐系统、控制模块、CAN总线接口等，满足汽车电子对高可靠性和静电防护的要求。 5. 网络与电信设备：用于路由器、交换机、基站等设备的信号端口保护，防止雷击或静电引起的通信中断。 该器件因其双向保护特性，特别适用于差分信号线和正负电压波动的场合，广泛应用于需要高性能瞬态保护的各类电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 4VWM/12VWM 6UDFNTVS二极管阵列 LOW CAP TVS ARRAY 3 LINE |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,ON Semiconductor NUP3112UPMUTAG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NUP3112UPMUTAG |
| PCN组件/产地 | |
| 不同频率时的电容 | 0.7pF @ 1MHz |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | 6-UDFN（1.6x1.6） |
| 击穿电压 | 13.5 V |
| 功率-峰值脉冲 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 3 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | UDFN |
| 尺寸 | 1.2 mm W x 1.8 mm L |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工作电压 | 12 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 5.2V, 13.5V |
| 电压-反向关态（典型值） | 4V （最小值）, 12V （最小值） |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | - |
| 电容 | 0.7 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
| 电源线路保护 | 是 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | NUP3112UPMU |
| 通道 | 3 Channels |
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