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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NTMFS4120NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4120NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4120NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4120NT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMFS4120NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS4120NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS4120NT1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于高性能硅基MOSFET器件。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和高开关速度的电源管理系统中。 典型应用场景包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、同步整流电源模块，适用于服务器、通信设备和工业电源等高效率要求场合。 2. 电机驱动：用于电动工具、家用电器及小型工业电机控制电路中，提供快速开关响应和低功耗运行。 3. 负载开关与电源管理：在便携式设备（如笔记本电脑、平板）中作为高端开关，控制电源通断，降低静态电流损耗。 4. 照明系统：用于LED驱动电源，支持恒流控制和高效能量转换。 5. 汽车电子：在车载电源系统（如车身控制模块、车灯控制、辅助电池管理）中发挥稳定可靠的开关作用，符合AEC-Q101车规认证，适合严苛环境使用。 该MOSFET具有低栅极电荷（Qg）和超低导通电阻（RDS(on)），有助于减少开关损耗和导通损耗，提升整体系统能效。同时采用先进的封装技术（如DPAK或TO-252），具备良好的热性能和可靠性，便于散热设计。 综上，NTMFS4120NT1G适用于追求高效率、高可靠性和紧凑设计的工业、消费类及汽车电子应用领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CHAN 18A 30V SO-8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMFS4120NT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3600pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 26A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 其它名称 | NTMFS4120NT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘（5 根引线） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta） |
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