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产品简介:
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ZVN4306ASTOA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该型号属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别,具有以下特性和应用场景: 特性: 1. 低导通电阻:ZVN4306A 的典型导通电阻(Rds(on))为 0.25 Ω(在 Vgs = 4.5V 时),能够有效降低功率损耗。 2. 工作电压范围:其漏源极击穿电压(BVDSS)为 30V,适合低压应用。 3. 小信号和中等功率处理能力:连续漏极电流(Id)为 2.2A(在 25°C 时),可满足中小功率电路需求。 4. 小型封装:采用 SOT-23 封装,节省空间,适用于对尺寸敏感的设计。 应用场景: 1. 便携式电子设备:如手机、平板电脑、便携式音频设备等。由于其低导通电阻和小型封装,非常适合用于这些设备中的电源管理电路。 2. 开关电源 (SMPS):作为开关元件,在 DC-DC 转换器或降压/升压电路中使用,提供高效的功率转换。 3. 负载开关:用于控制电路中不同负载的开启和关闭,确保系统的稳定运行并减少功耗。 4. 电池管理:在电池充电和保护电路中,ZVN4306A 可以用作电池保护开关,防止过流、短路等情况发生。 5. 电机驱动:适用于小型直流电机的驱动控制,例如玩具、风扇或其他低功率电机应用。 6. 信号切换:在需要高频信号切换的应用中,如通信设备或数据传输接口,ZVN4306A 的快速开关特性可以提高系统性能。 总结: ZVN4306ASTOA 凭借其低导通电阻、小型封装和适中的功率处理能力,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制等领域,特别是在需要高效能、小体积解决方案的场合下表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | ZVN4306ASTOA |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 330 毫欧 @ 3A,10V |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率-最大值 | 850mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
标准包装 | 2,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.1A (Ta) |