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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTP6411ANG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTP6411ANG价格参考。ON SemiconductorNTP6411ANG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTP6411ANG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTP6411ANG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
安森美半导体(ON Semiconductor)的NTP6411ANG是一款N沟道增强型MOSFET,常用于中高功率的开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源适配器、负载开关等,具备低导通电阻和高效率特性,有助于提升电源系统的整体能效。 2. 电机控制:在直流电机、步进电机驱动电路中作为功率开关使用,支持快速开关响应和良好的热稳定性。 3. 照明系统:用于LED照明驱动电路,尤其是高亮度LED或汽车照明系统中,提供稳定可靠的电流控制。 4. 工业自动化:在PLC、工业继电器替代方案或自动化控制模块中,作为高频率开关元件使用。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑、充电器等设备中的电源管理模块。 该器件采用TO-252封装,具有良好的散热性能,适用于表面贴装工艺,适合高密度电路设计。由于其高耐用性和可靠性,NTP6411ANG广泛应用于需要高效能与稳定性的电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 72A TO-220ABMOSFET NFET TO220 100V 72A 14MOH |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 77 A |
Id-连续漏极电流 | 77 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTP6411ANG- |
数据手册 | |
产品型号 | NTP6411ANG |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 217 W |
Pd-功率耗散 | 217 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 72A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | NTP6411ANG-ND |
功率-最大值 | 217W |
包装 | 管件 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 77A (Tc) |
配置 | Single |