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  • 型号: NTP6411ANG
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTP6411ANG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTP6411ANG价格参考。ON SemiconductorNTP6411ANG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTP6411ANG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTP6411ANG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

安森美半导体(ON Semiconductor)的NTP6411ANG是一款N沟道增强型MOSFET,常用于中高功率的开关应用。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源适配器、负载开关等,具备低导通电阻和高效率特性,有助于提升电源系统的整体能效。

2. 电机控制:在直流电机、步进电机驱动电路中作为功率开关使用,支持快速开关响应和良好的热稳定性。

3. 照明系统:用于LED照明驱动电路,尤其是高亮度LED或汽车照明系统中,提供稳定可靠的电流控制。

4. 工业自动化:在PLC、工业继电器替代方案或自动化控制模块中,作为高频率开关元件使用。

5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑、充电器等设备中的电源管理模块。

该器件采用TO-252封装,具有良好的散热性能,适用于表面贴装工艺,适合高密度电路设计。由于其高耐用性和可靠性,NTP6411ANG广泛应用于需要高效能与稳定性的电子系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 100V 72A TO-220ABMOSFET NFET TO220 100V 72A 14MOH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

77 A

Id-连续漏极电流

77 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTP6411ANG-

数据手册

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产品型号

NTP6411ANG

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

217 W

Pd-功率耗散

217 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

14 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

14 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3700pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

100nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14 毫欧 @ 72A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

NTP6411ANG-ND
NTP6411ANGOS

功率-最大值

217W

包装

管件

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

77A (Tc)

配置

Single

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