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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美半导体)的FQB10N60CTM是一款N沟道增强型MOSFET,具有600V的击穿电压和低导通电阻特性。其应用场景广泛,适用于多种电力电子系统,以下是一些主要的应用领域: 1. 开关电源(SMPS): FQB10N60CTM的高耐压特性和快速开关能力使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以在高频条件下高效工作,降低能量损耗。 2. 电机驱动: 该器件可用于工业和消费类电机驱动应用中,例如家用电器、电动工具和小型工业设备的电机控制。其低导通电阻有助于减少发热并提高效率。 3. 逆变器: 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,FQB10N60CTM可以用作功率级开关,将直流电转换为交流电,支持高效的能源转换。 4. DC-DC转换器: 作为主开关或同步整流器,FQB10N60CTM能够提高DC-DC转换器的效率,特别是在高压输入场合下表现优异。 5. 电磁阀和继电器驱动: 由于其强大的电流处理能力和耐用性,该MOSFET可以用来驱动电磁阀、继电器等需要较高电流的负载。 6. 汽车电子: 在汽车电子系统中,如启动马达控制、照明电路以及车载充电器等领域,FQB10N60CTM可提供可靠的性能。 7. 保护电路: 它还可以用在过流保护、短路保护等电路中,确保系统的安全运行。 总之,FQB10N60CTM凭借其出色的电气参数和稳定性,成为许多高压、大电流应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQB10N60CTM |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2040pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 730 毫欧 @ 4.75A,10V |
供应商器件封装 | D²PAK |
功率-最大值 | 3.13W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.5A (Tc) |