ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQA28N50_F109
Datasheet下载- 型号： FQA28N50_F109
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA28N50_F109由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA28N50_F109价格参考。Fairchild SemiconductorFQA28N50_F109封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN。您可以下载FQA28N50_F109参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQA28N50_F109 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA28N50_F109是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于高电压、大电流MOSFET器件，广泛应用于需要高效开关性能的电力电子系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：常用于开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器中，特别是在高电压输入（如400V以上母线电压）条件下，具备良好的导通电阻与耐压平衡，提升转换效率。 2. 电机驱动：适用于工业电机控制、家用电器（如空调、洗衣机）中的马达驱动电路，能够承受较高的启动电流并实现快速开关，降低功耗。 3. 照明电源：在高压LED驱动电源中作为主控开关元件，支持高效率和高可靠性运行，满足节能要求。 4. 逆变器系统：广泛用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等设备中，承担直流到交流的电能转换功能，具备良好的热稳定性和耐用性。 5. 功率因数校正（PFC）电路：在有源PFC拓扑结构中作为关键开关器件，帮助提高电网输入端的功率因数，减少谐波污染，符合能效标准。 该器件具有500V的漏源击穿电压和28A的大电流能力，结合低栅极电荷与低导通电阻特性，适合高频、高效率应用环境。同时，采用TO-247封装，散热性能良好，便于在紧凑型设计中使用。总体而言，FQA28N50_F109是一款适用于中高功率工业与消费类电源系统的可靠MOSFET解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3PN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQA28N50_F109 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 14.2A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 28.4A （Tc） |
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