ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SIHP30N60E-GE3
Datasheet下载- 型号： SIHP30N60E-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHP30N60E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHP30N60E-GE3价格参考￥15.56-￥15.56。VishaySIHP30N60E-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 29A（Tc） 250W（Tc） 。您可以下载SIHP30N60E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHP30N60E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHP30N60E-GE3 是一款高性能的 N 沱增强型功率 MOSFET，主要应用于高电压和高效率场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - 适用于各种开关模式电源设计，如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。 - 其 600V 的耐压能力使其能够应对高压输入环境，例如工业级或汽车级电源系统。 2. 电机驱动 - 用于驱动直流无刷电机（BLDC）、步进电机或其他类型的电机。 - 高效的导通特性和低开关损耗使其适合需要频繁启停或调速的应用。 3. 逆变器 - 常用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等设备中。 - 提供稳定的开关性能和较低的能量损耗，有助于提高整体效率。 4. 负载切换 - 在电信设备、服务器电源和消费电子中用作负载切换开关。 - 快速的开关速度和低导通电阻（Rds(on)）可减少功耗并提升可靠性。 5. 电动工具 - 为电动工具提供高效的动力输出和控制功能。 - 适应高电流和高电压的工作条件，确保工具运行稳定。 6. 汽车电子 - 应用于汽车启动系统、车载充电器以及车身控制模块。 - 符合 AEC-Q101 标准（如果适用），具备良好的抗干扰能力和高温稳定性。 7. 电池管理系统（BMS） - 用于保护锂电池组免受过充、过放或短路的影响。 - 精确的电流控制能力有助于优化电池寿命和安全性。 总结来说，SIHP30N60E-GE3 凭借其高耐压、低导通电阻和优异的热性能，在需要高效功率转换和开关控制的领域具有广泛的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 29A TO220ABMOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 29 A |
| Id-连续漏极电流 | 29 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHP30N60E-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHP30N60E-GE3SIHP30N60E-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 125 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 29A （Tc） |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |
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