ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单 > MBRD835LT4G
Datasheet下载- 型号： MBRD835LT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MBRD835LT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBRD835LT4G价格参考。ON SemiconductorMBRD835LT4G封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， 肖特基 表面贴装 二极管 35V 8A DPAK。您可以下载MBRD835LT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBRD835LT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBRD835LT4G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款肖特基势垒二极管，属于二极管-整流器-单类型器件。该器件采用表面贴装封装（SMA/SOD-123），具有低正向压降（典型值0.48V）和高效率特性，最大平均整流电流为8A，反向重复峰值电压为35V。 由于其优异的开关性能和较低的功耗，MBRD835LT4G广泛应用于对能效和空间要求较高的电源系统中。典型应用场景包括：便携式电子设备的直流-直流转换器、笔记本电脑和平板电脑的电源管理模块、电池充电电路、低压电源整流以及同步整流电路。此外，也常用于消费类电子产品如智能手机、路由器、LED驱动电源等设备中的高效电源转换部分。 该器件还适用于需要快速恢复特性的场合，因其无反向恢复电荷，可显著降低开关损耗，提高系统整体效率。同时，其符合RoHS环保标准，并具备无铅、绿色环保的特点，适合现代电子产品对环保与可靠性的要求。 综上所述，MBRD835LT4G是一款高性能、低功耗的肖特基二极管，特别适用于低压大电流、高效率电源转换场景，是中小功率电源设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK |
| 产品分类 | 单二极管/整流器 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MBRD835LT4G |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SWITCHMODE™ |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 510mV @ 8A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1.4mA @ 35V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MBRD835LT4GOSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1 |
| 热阻 | 2.8°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 35V |
| 电流-平均整流(Io) | 8A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
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