Datasheet下载- 型号： NTB60N06T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB60N06T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB60N06T4G价格参考。ON SemiconductorNTB60N06T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB60N06T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB60N06T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB60N06T4G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电器等，因其导通电阻低、开关速度快，有助于提高电源转换效率。 2. 电机控制：常用于直流电机驱动电路中，作为功率开关元件，实现对电机启停、转速和方向的控制。 3. 负载开关：在工业控制和自动化系统中，用作高边或低边负载开关，控制大电流负载的通断。 4. 逆变器与变频器：在小型逆变器和变频设备中作为功率开关，适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等领域。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、电动工具、LED照明驱动等场景，满足汽车电子对可靠性和效率的高要求。 该器件具备60A连续漏极电流和60V漏源击穿电压，适合中高功率应用。采用TO-263封装，便于散热和PCB安装，适用于需要高效能与高可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAKMOSFET 60V 60A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTB60N06T4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTB60N06T4G |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 180.7 ns |
| 下降时间 | 142.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 81nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NTB60N06T4GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 94.5 ns |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 功率耗散 | 150 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 14 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 35 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 60 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Ta） |
| 系列 | NTB60N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/3M 1170 3／4" X 4"-100.jpg)
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