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  • 型号: IXFB110N60P3
  • 制造商: IXYS
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IXFB110N60P3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFB110N60P3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFB110N60P3价格参考。IXYSIXFB110N60P3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 110A(Tc) 1890W(Tc) PLUS264™。您可以下载IXFB110N60P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFB110N60P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFB110N60P3是一款高电压、大电流的N沟道MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC电源模块,适用于工业设备、服务器电源和通信设备中的高效能电源管理。

2. 电机驱动:用于变频器和电机控制电路中,支持高效、高频的开关操作,适用于工业自动化和电机控制应用。

3. 逆变器系统:在太阳能逆变器和UPS(不间断电源)系统中,作为核心功率器件实现直流到交流的高效转换。

4. 照明系统:用于高强度放电灯(HID)或LED照明的驱动电路中,提供稳定的功率控制。

5. 汽车电子:如车载充电器、电池管理系统(BMS)等,适用于对可靠性和效率要求较高的汽车应用场景。

该器件具有低导通电阻、高耐压(600V)和强电流承载能力(110A),适合高频开关应用,有助于提高系统效率并减少散热需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264MOSFET 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

110 A

Id-连续漏极电流

110 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFB110N60P3Polar3™ HiPerFET™

数据手册

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产品型号

IXFB110N60P3

Pd-PowerDissipation

1890 W

Pd-功率耗散

1.89 kW

Qg-GateCharge

245 nC

Qg-栅极电荷

245 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

56 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

56 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

19 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

18000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

245nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

56 毫欧 @ 55A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PLUS264™

功率-最大值

1890W

包装

管件

商标

IXYS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

56 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-264-3,TO-264AA

封装/箱体

PLUS 264-3

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

标准包装

25

正向跨导-最小值

105 S, 65 S

汲极/源极击穿电压

600 V

漏极连续电流

110 A

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

110A (Tc)

系列

IXFB110N60

配置

Single

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