【未分类_SIHB12N50E-GE3】封装/厂家_SIHB12N50E-GE3中文资料_价格

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型号： SIHB12N50E-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SIHB12N50E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHB12N50E-GE3价格参考。VishaySIHB12N50E-GE3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SIHB12N50E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHB12N50E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SIHB12N50E-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有 500V 的漏源击穿电压和 12A 的连续漏极电流能力。该器件广泛应用于需要高效、高电压开关性能的场合。其主要应用场景包括：

1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器，用于高效能电能转换和调节。

2. 电机驱动器：在工业自动化、电动工具和家用电器中，用于控制电机的启停与调速。

3. 照明系统：包括 LED 驱动电源和高强度放电灯（HID）镇流器等。

4. 逆变器与变频器：用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和电机控制变频器中，实现直流到交流的电能转换。

5. 家电控制：如电磁炉、洗衣机、空调等家电产品中作为功率开关元件。

6. 电动汽车相关应用：如车载充电器、DC-DC 转换模块等。

该 MOSFET 具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适合高效率和高可靠性的设计需求。

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