Datasheet下载- 型号： NVD5890NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD5890NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD5890NT4G价格参考。ON SemiconductorNVD5890NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVD5890NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVD5890NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
安森美半导体（ON Semiconductor）的NVD5890NT4G是一款单N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率开关的场景。其主要特点包括低导通电阻、高耐压（最高600V）和高电流承载能力，适用于高效率电源转换系统。 该器件常用于以下应用场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，用于提高能效和减小系统体积。 2. 电机控制：在电动工具、风扇、泵等电机驱动电路中作为高速开关元件。 3. 照明系统：如LED驱动器，用于调节电流和实现高能效照明。 4. 工业自动化：在PLC、工业电源及控制模块中实现快速、可靠的功率开关。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、电池管理系统（BMS）或辅助电机控制，满足汽车应用对可靠性和效率的高要求。 该MOSFET采用TO-252封装，具备良好的热性能和耐用性，适合中高功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NVD5890NT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4760pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.7 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Ta）， 123A （Tc） |
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