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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RFD12N06RLE由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RFD12N06RLE价格参考。Fairchild SemiconductorRFD12N06RLE封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RFD12N06RLE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RFD12N06RLE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RFD12N06RLE 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景广泛,适用于多种电子电路设计需求,以下是一些典型的应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) RFD12N06RLE 的低导通电阻(Rds(on))和高电流能力使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的开断,减少功率损耗,提高电源转换效率。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动中,该 MOSFET 可作为功率级开关,用于控制电机的启停、转速和方向。其低导通电阻有助于降低发热,延长设备寿命。 3. 负载开关 在需要动态控制负载通断的电路中,例如电池管理系统 (BMS) 或便携式设备中,RFD12N06RLE 可用作高效的负载开关,确保快速响应和低功耗。 4. DC-DC 转换器 该器件适用于降压或升压型 DC-DC 转换器,作为主开关或同步整流元件。其快速开关特性和低导通损耗可显著提升转换效率。 5. 逆变器 在小型逆变器应用中,RFD12N06RLE 可用于将直流电转换为交流电,适用于太阳能微逆变器或其他低功率逆变器系统。 6. 保护电路 RFD12N06RLE 可用于过流保护、短路保护或反向电压保护电路中。通过快速响应和低导通损耗,确保系统安全运行。 7. 音频放大器 在某些 D 类音频放大器中,该 MOSFET 可作为输出级开关元件,提供高效的音频信号放大功能。 8. 汽车电子 在汽车电子领域,例如电动车窗、雨刷控制系统或 LED 照明驱动中,RFD12N06RLE 可提供可靠的功率开关功能。 总结 RFD12N06RLE 的主要优势在于其低导通电阻(典型值为 0.019 Ω)、高电流能力(最大 drain 电流为 12 A)以及出色的热性能,这使得它在各种功率管理、电机控制和信号切换应用中表现出色。选择此器件时,需根据具体应用的电压、电流和频率要求进行合理设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | RFD12N06RLE |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | UltraFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 485pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 63 毫欧 @ 18A,10V |
供应商器件封装 | I-Pak |
功率-最大值 | 49W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |