Datasheet下载- 型号： FDP5800
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP5800由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP5800价格参考。Fairchild SemiconductorFDP5800封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDP5800参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP5800 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP5800 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热性能，因此适用于多种电力电子应用场景。以下是 FDP5800 的主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - FDP5800 的低导通电阻（典型值为 2.5mΩ @ Vgs = 10V）使其非常适合用作开关电源中的功率开关。 - 应用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器和充电器中，提供高效能的功率转换。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或无刷直流电机 (BLDC) 驱动应用中，FDP5800 可作为功率级开关器件。 - 其低 Rds(on) 减少了传导损耗，提高了电机驱动效率。 3. 负载切换 - 用于便携式设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的负载切换电路。 - 提供快速开启/关闭功能，同时减少功率损耗。 4. 电池管理 - 在电池管理系统 (BMS) 中，FDP5800 可用于保护电路，例如过流保护、短路保护和电池充放电控制。 - 其低导通电阻有助于降低电池路径上的电压降，提高系统效率。 5. 逆变器 - 在小型光伏逆变器或其他高频逆变器中，FDP5800 可用作功率开关，实现高效的能量转换。 - 其高频率开关能力适合现代逆变器的设计需求。 6. 音频放大器 - 在 D 类音频放大器中，FDP5800 可作为输出级开关器件，提供高效能的声音放大。 - 低 Rds(on) 和快速开关特性有助于减少失真和热量产生。 7. 汽车电子 - 用于车载电子设备中的负载控制，例如车窗升降器、座椅加热器等。 - 符合汽车应用对可靠性和效率的要求。 总结 FDP5800 的低导通电阻、高电流能力和快速开关速度，使其成为消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域中高性能功率开关的理想选择。其典型应用包括开关电源、电机驱动、电池管理、负载切换和音频放大器等场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 14A TO-220MOSFET 60V N-Ch Logic Level MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP5800PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP5800 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 242 W |
| Pd-功率耗散 | 242 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9160pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 145nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 80A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 242W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Ta）， 80A （Tc） |
| 系列 | FDP5800 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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