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Datasheet下载- 型号： STP6NK50Z
- 制造商： STMicroelectronics
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STP6NK50Z产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP6NK50Z由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP6NK50Z价格参考。STMicroelectronicsSTP6NK50Z封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 5.6A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB。您可以下载STP6NK50Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP6NK50Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的STP6NK50Z是一款N沟道增强型高压MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有500V的高漏源击穿电压和6A的连续漏极电流能力，适用于中高功率开关应用。 STP6NK50Z主要应用于开关电源（SMPS），如AC-DC转换器、离线式电源适配器、充电器和工业电源模块。其高压特性使其特别适合用于反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构的电源设计中。此外，该MOSFET具备较低的导通电阻和良好的开关性能，有助于提高能效并减少发热，符合节能和小型化的设计趋势。 该器件也广泛用于照明领域，如电子镇流器、LED驱动电源和节能灯控制电路。在家电产品中，可用于空调、洗衣机等设备的电机驱动或电源管理模块。同时，STP6NK50Z还可应用于工业控制设备、UPS（不间断电源）以及小型逆变器等对可靠性和耐压要求较高的场合。 由于采用TO-220或TO-220FP封装，具备良好的散热性能和电气隔离能力，便于安装在散热片上，适合长时间稳定运行。STP6NK50Z凭借其高耐压、高可靠性及成熟的技术，在工业、消费类电子和绿色能源领域均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 5.6A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STP6NK50Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 690pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-4385-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF75456?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 90W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.6A （Tc） |
