Datasheet下载- 型号： SIHD5N50D-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHD5N50D-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHD5N50D-GE3价格参考。VishaySIHD5N50D-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHD5N50D-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHD5N50D-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHD5N50D-GE3 是一款高压 N 沟道功率 MOSFET，具有 500V 耐压和 4.8A 连续漏极电流能力，适用于高效率、高耐压的开关电源应用。该器件常用于工业控制、电源适配器、LED 驱动电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。 在开关电源（SMPS）中，SIHD5N50D-GE3 可作为主开关管使用，适用于反激式或正激式拓扑结构，因其具备较低的导通电阻（RDS(on)）和良好的开关特性，有助于提升电源转换效率并降低功耗。其高击穿电压特性也使其适合用于输入电压较高的交流市电整流后电路中。 此外，该 MOSFET 广泛应用于 LED 照明驱动电源，特别是在高亮度 LED 或户外照明系统中，能够稳定工作于高温与高压环境，提高系统可靠性。在工业自动化设备中，它可用于电机控制或继电器驱动电路，提供快速响应和低损耗开关操作。 SIHD5N50D-GE3 采用 TO-252（D-Pak）封装，便于散热设计和 PCB 安装，适合对空间和热管理有要求的应用。同时，该器件符合 RoHS 环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。 综上所述，SIHD5N50D-GE3 主要应用于高电压、中等电流的功率开关场合，特别适合注重效率、可靠性和紧凑设计的电源与工业控制系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPKMOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.3 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SiHD5N50D-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SiHD5N50D-GE3SIHD5N50D-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 325pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 其它名称 | SIHD5N50D-GE3CT |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.5 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 1.8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 5.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.3A （Tc） |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |
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