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  • 型号: SIHD5N50D-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIHD5N50D-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHD5N50D-GE3价格参考。VishaySIHD5N50D-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIHD5N50D-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHD5N50D-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPKMOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5.3 A

Id-连续漏极电流

5.3 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SiHD5N50D-GE3-

数据手册

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产品型号

SiHD5N50D-GE3SIHD5N50D-GE3

Pd-PowerDissipation

104 W

Pd-功率耗散

104 W

Qg-GateCharge

10 nC

Qg-栅极电荷

10 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

11 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

325pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.5 欧姆 @ 2.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252AA

其它名称

SIHD5N50D-GE3CT
SIHD5N50D-GE3CT-ND

功率-最大值

104W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

1.5 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

1.8 S

汲极/源极击穿电压

500 V

漏极连续电流

5.3 A

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.3A (Tc)

系列

E

配置

Single

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