Datasheet下载- 型号： NDUL03N150CG
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDUL03N150CG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDUL03N150CG价格参考￥询价-￥询价。ON SemiconductorNDUL03N150CG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NDUL03N150CG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDUL03N150CG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDUL03N150CG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有高电压耐受能力（1500V 额定击穿电压），适用于高压场景下的开关和功率管理应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源转换 - 开关电源 (SMPS)：NDUL03N150CG 的高电压特性和低导通电阻使其非常适合用于开关电源中的主开关管，例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 - 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，该 MOSFET 可用作高频开关元件，实现高效的直流到交流转换。 2. 电机驱动 - 在高压电机驱动系统中，NDUL03N150CG 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。它能够承受电机启动时的高浪涌电流和高压环境。 3. 工业控制 - 固态继电器 (SSR)：由于其高电压耐受能力，NDUL03N150CG 可用于固态继电器的设计中，替代传统的机械继电器，提供更快的切换速度和更长的使用寿命。 - 高压负载开关：在需要控制高压负载（如工业设备或照明系统）的应用中，该 MOSFET 可作为开关元件。 4. 电动车和混合动力车 - 车载充电器 (OBC)：在电动车或混合动力车的车载充电器中，NDUL03N150CG 可用于高压功率转换电路。 - 电池管理系统 (BMS)：用于保护电池组免受过充、过放或短路的影响。 5. 家电和消费电子 - 高压家电：如空调、洗衣机等需要高压驱动的家用电器中，NDUL03N150CG 可用于压缩机或泵的控制。 - LED 照明驱动：在高压 LED 照明系统中，该 MOSFET 可用于恒流驱动电路。 6. 通信和能源领域 - 电信电源：在通信基站的电源模块中，NDUL03N150CG 可用于高压整流和稳压电路。 - 储能系统：在能量存储系统（ESS）中，该 MOSFET 可用于电池充放电管理及能量转换。 总结 NDUL03N150CG 凭借其高电压特性、低导通电阻和优异的热性能，广泛应用于高压功率转换、电机驱动、工业控制、电动车以及家电等领域。其高性能和可靠性使其成为许多高压场景的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF3MOSFET Pwr MOSFET 1500V 25A 10.5Ohm N-CH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDUL03N150CG- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDUL03N150CG |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.5 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.5 kV |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 47 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 欧姆 @ 1.25A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3P（L） |
| 其它名称 | NDUL03N150CGOS |
| 典型关闭延迟时间 | 140 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 8 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3PL |
| 封装/箱体 | TO-3PF-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 汲极/源极击穿电压 | 1.5 kV |
| 漏极连续电流 | 2.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 1500V（1.5kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Ta） |
| 系列 | NDUL03N150C |
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