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  • 型号: NDUL03N150CG
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NDUL03N150CG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDUL03N150CG价格参考¥询价-¥询价。ON SemiconductorNDUL03N150CG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NDUL03N150CG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDUL03N150CG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF3MOSFET Pwr MOSFET 1500V 25A 10.5Ohm N-CH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.5 A

Id-连续漏极电流

2.5 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDUL03N150CG-

mouser_ship_limit

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产品型号

NDUL03N150CG

Pd-PowerDissipation

3 W

Pd-功率耗散

3 W

Qg-GateCharge

34 nC

Qg-栅极电荷

34 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

8 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

8 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1.5 kV

Vds-漏源极击穿电压

1.5 kV

上升时间

24 ns

下降时间

47 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

650pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

34nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10.5 欧姆 @ 1.25A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-3P(L)

其它名称

NDUL03N150CGOS

典型关闭延迟时间

140 ns

功率-最大值

3W

包装

管件

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

8 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-3PL

封装/箱体

TO-3PF-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

标准包装

30

汲极/源极击穿电压

1.5 kV

漏极连续电流

2.5 A

漏源极电压(Vdss)

1500V(1.5kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.5A (Ta)

系列

NDUL03N150C

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