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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1304BDL-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1304BDL-T1-E3价格参考。VishaySI1304BDL-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 900mA(Tc) 340mW(Ta),370mW(Tc) SC-70-3。您可以下载SI1304BDL-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1304BDL-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1304BDL-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET,采用小型化封装(TSOP-6),适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,因其低导通电阻(RDS(on))可减少功耗,提高能效。 2. 电压反转与电平转换:在低电压逻辑电路中用于信号电平转换,兼容不同电压域之间的通信,适合I²C、GPIO等接口的电平匹配。 3. 便携式消费电子产品:广泛应用于蓝牙耳机、移动电源、数码相机等对尺寸和功耗敏感的产品中,实现高效的开关控制。 4. 过流与热保护电路:配合保护IC作为外部开关管,用于防止短路或过载,提升系统可靠性。 5. 工业与汽车电子辅助电路:用于低功率控制模块,如传感器供电开关、LED驱动等。 SI1304BDL-T1-E3 具有低阈值电压、高开关速度和良好的热稳定性,支持表面贴装工艺,便于自动化生产。其环保符合RoHS标准,适合高密度PCB布局,是现代高效、小型化电子设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 900MA SOT323-3MOSFET 30V 0.9A 0.37W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 850 mA |
| Id-连续漏极电流 | 850 mA |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1304BDL-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1304BDL-T1-E3SI1304BDL-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 340 mW |
| Pd-功率耗散 | 340 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 100pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 270 毫欧 @ 900mA,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-3 |
| 其它名称 | SI1304BDL-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 5 ns |
| 功率-最大值 | 370mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 900mA (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI1304BDL-E3 |