ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDB5800
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Datasheet下载- 型号： FDB5800
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB5800由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB5800价格参考￥7.66-￥8.01。Fairchild SemiconductorFDB5800封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 14A（Ta），80A（Tc） 242W（Tc） D²PAK。您可以下载FDB5800参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB5800 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB5800 是由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的晶体管，属于 FET、MOSFET - 单类型。这款 MOSFET 主要应用于高效率、低损耗的电力电子系统中，尤其适用于需要高频开关和低导通电阻的应用场景。 应用场景： 1. 电源管理：FDB5800 适用于各种电源管理系统，如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、AC-DC 适配器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，FDB5800 可用于驱动无刷直流电机（BLDC）、步进电机等。其快速开关特性和低导通电阻有助于实现高效的电机控制，同时减少发热。 3. 电池管理系统（BMS）：FDB5800 可用于电池保护电路中，作为充放电路径的开关元件。其低导通电阻可以减少电池在充放电过程中的能量损失，延长电池寿命。 4. 消费电子产品：在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，FDB5800 可用于电源管理模块，确保设备在高效运行的同时保持较低的功耗。 5. 工业自动化：在工业自动化领域，FDB5800 可用于伺服驱动器、PLC（可编程逻辑控制器）等设备中的电源管理和信号隔离电路，提供稳定可靠的性能。 6. 汽车电子：FDB5800 还可用于汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统等。其出色的热性能和可靠性使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。 7. 通信设备：在通信基站、服务器等设备中，FDB5800 可用于电源模块，提供高效的电源转换和管理，确保设备的稳定运行。 总之，FDB5800 凭借其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，广泛应用于各类需要高效电源管理和开关控制的场景中，特别适合对能效和热性能有较高要求的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAKMOSFET 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB5800PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB5800 |
| Pd-PowerDissipation | 242 W |
| Pd-功率耗散 | 242 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 12.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6625pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 80A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB5800TR |
| 典型关闭延迟时间 | 27.1 ns |
| 功率-最大值 | 242W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 80 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Ta）， 80A （Tc） |
| 系列 | FDB5800 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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