Datasheet下载- 型号： TK65E10N1,S1X
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK65E10N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK65E10N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK65E10N1,S1X封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK65E10N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK65E10N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为TK65E10N1,S1X的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）由Toshiba Semiconductor and Storage生产，属于N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和功率控制的电子系统中。 该器件额定电压为100V，持续漏极电流可达65A，具有低导通电阻（典型值约11mΩ），能有效降低导通损耗，提高系统效率。因此，TK65E10N1,S1X特别适用于高电流、高效率要求的电源管理场景。 常见应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：用于服务器、通信设备和工业电源中的DC-DC转换器，实现高效电压转换。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器（如洗衣机、空调压缩机）和工业电机控制中作为主开关元件，提供快速响应和低功耗运行。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车、储能系统中的充放电控制，保障系统安全与效率。 4. 逆变器与UPS（不间断电源）：在光伏逆变器和备用电源系统中承担能量转换和负载切换功能。 5. 汽车电子：适用于车载充电器（OBC）、DC-DC变换器等新能源汽车电源模块。 其采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备优良的热稳定性和抗雪崩能力，封装形式为TO-263（D²PAK），便于散热和表面贴装，适合高密度PCB布局。 综上，TK65E10N1,S1X凭借高性能参数和高可靠性，广泛服务于工业、消费电子、汽车及绿色能源等领域，是现代高效功率系统中的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 5400 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 100V 148A TO220MOSFET 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 148 A |
| Id-连续漏极电流 | 148 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TK65E10N1&lang=en&type=datasheet |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK65E10N1,S1X- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK65E10N1 |
| 产品型号 | TK65E10N1,S1XTK65E10N1,S1X |
| Pd-PowerDissipation | 192 W |
| Pd-功率耗散 | 192 W |
| Qg-GateCharge | 81 nC |
| Qg-栅极电荷 | 81 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 26 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5400pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 81nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.8 毫欧 @ 32.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | TK65E10N1S1X |
| 典型关闭延迟时间 | 85 ns |
| 功率-最大值 | 192W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 148A （Ta） |
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