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Datasheet下载- 型号： IRFZ34NSPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ34NSPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ34NSPBF价格参考。International RectifierIRFZ34NSPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK。您可以下载IRFZ34NSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFZ34NSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies生产的IRFZ34NSPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。这款MOSFET的主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源：IRFZ34NSPBF在开关电源中的应用非常普遍，特别是在DC-DC转换器和AC-DC转换器中。它能够高效地进行电压转换，提供稳定的输出电压，适用于计算机、通信设备、消费电子产品等。 2. 电机驱动：该MOSFET可用于驱动直流电机和步进电机。由于其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，能够有效减少能量损耗，提高电机的效率和响应速度。常见于电动工具、家用电器、工业自动化设备等。 3. 电池管理系统（BMS）：在锂电池和其他可充电电池的保护电路中，IRFZ34NSPBF可以作为充放电控制的关键元件。它能够在过流、短路等异常情况下迅速切断电流，确保电池的安全使用。 4. 逆变器和变频器：在太阳能逆变器和变频空调等设备中，IRFZ34NSPBF用于实现交流与直流之间的转换以及频率调节。其高耐压（Vds = 55V）和大电流承载能力（Id = 17A @ 25°C, Id = 11A @ 100°C）使其能够适应这些应用中的严苛工作条件。 5. 负载开关：在需要频繁切换负载通断的应用场景下，如汽车电子系统、LED照明等，IRFZ34NSPBF凭借其低栅极电荷和快速开关速度，可以实现高效且可靠的负载控制。 总之，IRFZ34NSPBF因其出色的电气性能和可靠性，在众多电力电子领域都有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 29A D2PAKMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 29 A |
| Id-连续漏极电流 | 29 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFZ34NSPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFZ34NSPBF |
| Pd-PowerDissipation | 68 W |
| Pd-功率耗散 | 68 W |
| Qg-GateCharge | 22.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 49 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRFZ34NSPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 功率耗散 | 68 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 40 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 22.7 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 29 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 29A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfz34ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfz34ns.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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