Datasheet下载- 型号： SI2316DS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2316DS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2316DS-T1-GE3价格参考。VishaySI2316DS-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2316DS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2316DS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2316DS-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效、低电压控制的电子电路中。该器件采用小型封装，适合高密度电路设计，其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于电池供电设备中的负载开关或DC-DC转换器，实现高效能电能转换，延长电池寿命。 2. 电机控制：在小型电机或风扇控制电路中作为开关元件，响应速度快，能承受一定电流冲击。 3. 负载开关：用于智能开关控制，如便携式电子产品、笔记本电脑、移动电源等设备中，控制外设电源通断。 4. 保护电路：在过流或反向电流保护电路中作为控制开关，实现快速切断以保护系统安全。 5. 工业自动化：用于PLC、传感器模块或工业控制设备中，作为低电压驱动的高可靠性开关元件。 6. 汽车电子：适用于车载设备中的电源控制，如车灯控制、车载充电器等场景。 该MOSFET具备低导通电阻、高可靠性与良好的热稳定性，适合在中低功率应用中作为高效开关使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI2316DS-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 215pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.9A （Ta） |
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