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FDY100PZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDY100PZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDY100PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDY100PZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 350mA(Ta) 625mW(Ta) SC-89-3。您可以下载FDY100PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDY100PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDY100PZ 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和开关电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的高效电源控制。 2. 电机驱动:在小型电机或继电器驱动电路中作为开关元件使用。 3. 保护电路:用于过流保护、反向电压保护等场合,保障系统稳定性。 4. 工业自动化:如PLC模块、传感器电源控制等低功率工业应用。 5. 消费电子:应用于笔记本电脑、移动电源、充电器等便携设备中的电源切换与管理。 该器件具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性,适合中低功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 350 mA |
| Id-连续漏极电流 | 350 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDY100PZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDY100PZ |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.63 W |
| Pd-功率耗散 | 630 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 100pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-89-3 |
| 其它名称 | FDY100PZDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 8 ns |
| 功率-最大值 | 446mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-89,SOT-490 |
| 封装/箱体 | SC-89-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 350mA (Ta) |
| 系列 | FDY100PZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |