Datasheet下载- 型号： RTQ045N03TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RTQ045N03TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTQ045N03TR价格参考。ROHM SemiconductorRTQ045N03TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RTQ045N03TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RTQ045N03TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RTQ045N03TR 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理 - RTQ045N03TR 的低导通电阻（典型值为 4.5 mΩ）使其非常适合用于高效能的开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）。它能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。 - 在电池充电电路中，可用于控制充电电流和保护电池免受过流或短路的影响。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。其低导通电阻和高切换速度特性可以减少电机运行时的功耗，并提供更稳定的控制性能。 - 在电子设备中的风扇、泵或其他微型电机应用中表现优异。 3. 负载开关 - 作为负载开关使用，可实现对下游电路的快速开启/关闭操作，同时具备低导通压降的特点，从而减少能量损失并提升系统可靠性。 - 常见于便携式电子产品如智能手机、平板电脑及笔记本电脑中。 4. 保护电路 - 可用于构建过流保护、短路保护和反向电压保护电路。例如，在汽车电子系统或工业控制设备中，该器件能够有效防止异常情况下的损坏。 - 其封装形式适合紧凑型设计需求，便于集成到复杂电路板上。 5. 音频放大器 - 在 D 类音频放大器中用作输出级开关元件，帮助实现高效的声音信号放大，同时保持较低的热生成量。 总结 RTQ045N03TR 凭借其出色的电气特性和稳健的设计，广泛应用于消费类电子、通信设备、工业自动化以及汽车电子等领域。无论是追求高性能还是高可靠性的项目，这款 MOSFET 都是一个理想的选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RTQ045N03TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RTQ045N03TR |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 420 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 420 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 31 ns |
| 下降时间 | 31 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 540pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 43 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 其它名称 | RTQ045N03CT |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSMT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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