ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQD2N90TM
Datasheet下载- 型号： FQD2N90TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD2N90TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD2N90TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD2N90TM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD2N90TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD2N90TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD2N90TM 是由 ON Semiconductor 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号具有高电压、低漏电流和快速开关特性，适用于多种电力电子应用场景。 1. 电源管理：FQD2N90TM 可用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC）和逆变器中，作为主开关或同步整流器件。其高击穿电压（Vds = 900V）使其能够承受高压应用中的电压波动，确保系统的稳定性和可靠性。 2. 电机驱动：在无刷直流电机（BLDC）和其他电机控制系统中，FQD2N90TM 可用于驱动电路，实现高效的电机控制。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高系统效率，延长电池寿命。 3. 工业自动化：该 MOSFET 可用于工业自动化设备中的固态继电器（SSR）和电磁阀驱动电路。其快速开关特性和低漏电流使得它能够在高频工作条件下保持高效和可靠，减少发热和能量损失。 4. 家电与消费电子：FQD2N90TM 也可应用于家用电器和消费电子产品中的电源管理和负载控制电路。例如，在空调、冰箱、洗衣机等家电中，它可以用于压缩机启动、风扇控制等功能模块，提供可靠的开关性能。 5. 电动汽车（EV）与混合动力汽车（HEV）：在电动汽车和混合动力汽车的车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器以及电机驱动系统中，FQD2N90TM 的高耐压和高效能特性使其成为理想的选择。它能够应对车辆电气系统中的高电压环境，并确保长时间运行的稳定性。 总之，FQD2N90TM 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备和系统中，特别是在需要高压、高效能和快速响应的应用场景下表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAKMOSFET 900V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD2N90TMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQD2N90TM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.2 欧姆 @ 850mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FQD2N90TMCT |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Tc） |
| 系列 | FQD2N90 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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