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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTSB40100CTT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTSB40100CTT4G价格参考。ON SemiconductorNTSB40100CTT4G封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 20A Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB。您可以下载NTSB40100CTT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTSB40100CTT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NTSB40100CTT4G是一款高效、低正向电压降(Vf)的肖特基整流器阵列,广泛应用于各种电力电子设备中。该器件具有四个独立的肖特基二极管,每个二极管的最大反向电压(Vrrm)为40V,最大平均整流电流(Io)为1A。其主要应用场景包括: 1. 电源管理 NTSB40100CTT4G常用于电源转换和管理电路中,特别是在低压、大电流的应用场合。例如,在开关电源(SMPS)中,它可以用作输出整流器,帮助提高效率并减少热量损失。由于其低正向电压降特性,能够有效降低功耗,特别适合于便携式设备或需要长时间工作的电子产品。 2. 电池充电保护 在电池管理系统中,该器件可以用于防止电池过充或过放。通过其快速响应特性和低反向恢复时间(trr),它可以有效地保护电池免受电压波动的影响,确保充电过程的安全性和稳定性。 3. 逆变器与电机驱动 在逆变器和电机驱动应用中,NTSB40100CTT4G可以用于直流到交流的转换过程中,作为续流二极管使用。它的低正向压降和高频率特性使其能够在高频开关条件下保持高效工作,减少能量损耗,延长系统的使用寿命。 4. 光伏系统 在太阳能光伏发电系统中,NTSB40100CTT4G可以用作旁路二极管,防止在某些情况下(如部分遮挡)导致的电流倒灌,保护其他正常工作的光伏模块,确保整个系统的稳定运行。 5. 汽车电子 该器件也适用于汽车电子中的DC-DC转换器和负载突降保护电路。其出色的抗浪涌能力和耐高温特性,使得它能够在严苛的车载环境中稳定工作,确保车辆电气系统的可靠性。 总结 NTSB40100CTT4G凭借其低正向电压降、快速响应时间和高可靠性,广泛应用于电源管理、电池保护、逆变器、光伏系统以及汽车电子等领域。它不仅提高了系统的效率,还增强了设备的稳定性和安全性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 100V 20A D2PAK肖特基二极管与整流器 LVFR 40A 100V D2PAK |
| 产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor NTSB40100CTT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTSB40100CTT4G |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 800mV @ 20A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 12µA @ 70V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | * |
| 包装 | * |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | 418B |
| 峰值反向电压 | 100 V |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 45 mA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 250 A |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 800 |
| 正向电压下降 | 0.8 V |
| 正向连续电流 | 60 A |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 100V |
| 电流-平均整流(Io)(每二极管) | 20A |
| 系列 | NTST40100CTG |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |