ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PSMN3R5-80PS,127
Datasheet下载- 型号： PSMN3R5-80PS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R5-80PS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R5-80PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN3R5-80PS,127封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 338W（Tc） TO-220AB。您可以下载PSMN3R5-80PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN3R5-80PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN3R5-80PS,127 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有超低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.5 mΩ @ VGS = 10 V，4.7 mΩ @ 4.5 V）和高耐压（80 V），适用于高效率、高功率密度的电源管理场景。 典型应用场景包括： ✅ 服务器与通信设备电源：用于DC-DC同步整流、POL（Point-of-Load）转换器及VRM模块，提升能效并降低温升； ✅ 工业电机驱动：在BLDC电机控制器中作为功率开关，支持高频PWM驱动与快速开关（tf/tr 约10 ns级），减小开关损耗； ✅ 电池供电系统：如电动工具、UPS及储能系统中的电池保护电路与主功率开关，其逻辑电平驱动特性（兼容3.3V/5V MCU直接驱动）简化栅极驱动设计； ✅ LED照明驱动：用于高亮度LED恒流驱动的高压侧或低压侧开关，满足高可靠性与长寿命要求； ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（注：该型号为工业级，非车规；若用于车载需确认具体批次认证），常见于车身控制模块（BCM）、风扇/泵驱动等12V/24V系统。 其LFPAK封装具备优异热性能（Rth(j-c) ≈ 1.5°C/W），支持紧凑PCB布局与高功率密度设计，配合低Qg（约50 nC）实现高效高频工作。综合来看，该器件适用于对导通损耗、开关速度、热管理及驱动简易性有严苛要求的中高功率电源与电机控制应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN3R5-80PS,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9961pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 139nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-6710 |
| 功率-最大值 | 338W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
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