ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单 > 1N5817-T
Datasheet下载- 型号： 1N5817-T
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5817-T由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5817-T价格参考￥0.16-￥0.16。Diodes Inc.1N5817-T封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， 肖特基 通孔 二极管 20V 1A DO-41。您可以下载1N5817-T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5817-T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 1N5817-T 是一款肖特基势垒二极管，属于整流器单二极管类别。由于其低正向压降（典型值约0.45V）和快速开关特性，该器件广泛应用于对效率和响应速度要求较高的场景。 常见应用场景包括： 1. 开关电源整流：用于AC-DC或DC-DC转换器中作为输出整流二极管，提升转换效率，减少发热。 2. 反向电压保护：在电源输入端防止电池或电源接反，保护后续电路。 3. 续流二极管（飞轮二极管）：用于继电器、电机等感性负载电路中，抑制关断时产生的反向电动势。 4. 低压大电流整流：适用于低电压输出的整流场合，如USB充电器、小型适配器等。 5. 消费类电子产品：如电视、机顶盒、路由器等内部电源模块中实现高效整流。 1N5817-T 采用轴向封装（DO-41），具有1A平均整流电流和20V反向重复峰值电压，适合中小功率应用。其肖特基结构相比普通PN结二极管功耗更低，温升更小，在空间受限或散热条件有限的设计中更具优势。 综上，1N5817-T 因其高效、快速、可靠的特点，广泛用于消费电子、工业控制和电源管理等领域的小功率整流与保护电路中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41肖特基二极管与整流器 Vr/20V Io/1A T/R |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Diodes Incorporated 1N5817-T- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N5817-T |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 450mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 110pF @ 4V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1mA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 其它名称 | 1N5817DITR |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 封装/箱体 | DO-41 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 125°C |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 1000 uA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 25 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 正向电压下降 | 0.75 V at 3 A |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 50°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 系列 | 1N5817 |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
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