ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFS4321TRLPBF
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Datasheet下载- 型号： IRFS4321TRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS4321TRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS4321TRLPBF价格参考￥7.52-￥8.11。International RectifierIRFS4321TRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 85A（Tc） 350W（Tc） D2PAK。您可以下载IRFS4321TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS4321TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRFS4321TRLPBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等，作为主开关管或同步整流管，提供高效的电能转换。 - 电池充电器：在便携式设备（如笔记本电脑、手机）的充电电路中，用于电流调节和电压控制。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC)：在电动工具、家用电器（如风扇、洗衣机）和电动车中，用于驱动和控制电机的转速与方向。 - 步进电机控制：在工业自动化设备中，用于精确控制步进电机的运行。 3. 汽车电子 - 车载电子系统：如电动窗、座椅调节、雨刷控制系统等，提供高可靠性开关功能。 - 逆变器和DC-DC转换器：用于电动汽车和混合动力汽车中的电力管理系统。 4. 工业控制 - 可编程逻辑控制器 (PLC)：用于工业自动化中的负载开关和信号隔离。 - 继电器替代：在高频开关场景下，用MOSFET替代传统机械继电器，提高效率和寿命。 5. 消费类电子产品 - 音频放大器：在D类音频放大器中，作为输出级开关元件，实现高效音频信号放大。 - LED驱动：在大功率LED照明中，用于调光和恒流控制。 6. 通信设备 - 基站电源：为通信基站提供稳定的电源支持。 - 信号调节电路：在高速数据传输设备中，用于信号切换和功率管理。 技术特点 - 低导通电阻 (Rds(on))：降低功耗，提高效率。 - 高击穿电压：适合高压应用环境。 - 快速开关速度：减少开关损耗，适用于高频电路。 - 优异的热性能：确保长时间稳定运行。 综上所述，IRFS4321TRLPBF凭借其高性能参数，适用于各种需要高效功率转换和开关控制的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 83A D2PAKMOSFET MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 85 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS4321TRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS4321TRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 350 W |
| Pd-功率耗散 | 350 W |
| Qg-GateCharge | 110 nC |
| Qg-栅极电荷 | 110 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4460pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 33A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRFS4321TRLPBFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 330W |
| 功率耗散 | 350 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 12 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 110 nC |
| 标准包装 | 800 |
| 正向跨导-最小值 | 130 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 150 V |
| 漏极连续电流 | 85 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 85A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 30 V |
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