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MMBZ5239BLT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5239BLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5239BLT1G价格参考¥0.42-¥0.42。ON SemiconductorMMBZ5239BLT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 9.1V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBZ5239BLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5239BLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5239BLT1G 是安森美(onsemi)生产的齐纳二极管(非Texas Instruments品牌),常被误认为TI产品。其标称稳压值为9.1 V,功率为225 mW,采用SOT-23封装,具有低动态阻抗和良好温度稳定性。 典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低压、小电流电路中为ADC参考源、传感器供电或运放偏置提供稳定9.1 V基准; 2. 过压保护(钳位):与TVS或限流电阻配合,钳制IC输入/电源端瞬态电压(如GPIO接口、MCU复位电路),防止9.1 V以上电压损坏后级器件; 3. 电源轨箝位与反馈:在LDO或DC-DC反馈网络中辅助设定输出电压,或用于简单线性稳压器的调整端; 4. 信号电平限制:在模拟前端或通信线路中限制信号摆幅,防止饱和或损坏敏感输入(如运放输入级); 5. 低成本嵌入式系统保护:广泛用于消费电子、工业控制板、IoT节点等对成本和尺寸敏感的应用中,替代更昂贵的精密基准芯片。 注意:该器件精度为±5%(典型),不适用于高精度基准场合;设计时需确保功耗不超过额定值,并考虑温度系数影响。用户选用时应核实实际品牌(onsemi)及数据手册参数,避免与TI同类型号(如TLVH431等并联稳压器)混淆。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT23-3稳压二极管 9.1V 225mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMBZ5239BLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5239BLT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBZ5239BLT1GOS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 9.1V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5239B |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 10 欧姆 |
| 齐纳电压 | 9.1 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |