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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N823-1由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N823-1价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N823-1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N823-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N823-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation 的 1N823-1 是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。该器件主要用于电压基准和稳压应用,具有精确的击穿电压和良好的温度稳定性。其标称齐纳电压为5.6V,典型应用于需要稳定参考电压的精密电路中。 1N823-1 常见的应用场景包括:精密电源稳压电路、模拟电路中的电压参考源、仪表放大器、A/D 和 D/A 转换器的基准电压提供,以及工业控制设备中的信号调理电路。由于其低噪声特性和较高的电压精度,也适用于测试测量仪器、通信设备和医疗电子设备等对稳定性要求较高的领域。 此外,该器件还可用于过压保护电路中,作为电压钳位元件,防止敏感电子部件因电压波动而损坏。其金属密封封装(通常为DO-35)提供了良好的可靠性和环境耐受性,适合在工业或军事级环境中使用。 总体而言,1N823-1 凭借其高精度、低温度系数和稳定性能,广泛应用于对电压基准要求严格的高端电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO-35 |
产品分类 | 单二极管/齐纳 |
品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/125462-lds-0220 |
产品图片 | |
产品型号 | 1N823-1 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同If时的电压-正向(Vf) | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 3V |
供应商器件封装 | DO-35 |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 散装 |
安装类型 | 通孔 |
容差 | ±5% |
封装/外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
工作温度 | -55°C ~ 175°C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.2V |
阻抗(最大值)(Zzt) | 15 欧姆 |