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Datasheet下载- 型号： IRFP4332PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP4332PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP4332PBF价格参考。International RectifierIRFP4332PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 250V 57A（Tc） 360W（Tc） TO-247AC。您可以下载IRFP4332PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP4332PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFP4332PBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于多种电力电子设备中。这款器件的主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：IRFP4332PBF适用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC）和不间断电源（UPS）等应用。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率，减少功率损耗。 2. 电机控制：在电动工具、家用电器（如洗衣机、空调等）以及工业自动化设备中，该MOSFET可用于驱动电机，实现精确的速度和扭矩控制。它能够承受较高的电流和电压，确保系统的稳定性和可靠性。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）及便携式电子设备的电池保护电路中，作为充放电路径的开关元件，提供过流、短路保护功能。 4. 逆变器与变频器：在太阳能逆变器、风力发电系统以及工业变频调速装置中，IRFP4332PBF可以承担高频开关任务，将直流电转换为交流电，或者调节输出频率以适应不同负载需求。 5. 消费类电子产品：例如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等，利用其快速开关能力和低损耗特点，优化充电效率并延长电池寿命。 6. 照明系统：在LED驱动器中，此款MOSFET能有效调节电流，保证LED灯亮度均匀且稳定，同时降低能耗。 总之，IRFP4332PBF凭借其优异的电气性能和可靠性，在众多需要高效功率转换和控制的应用领域发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 57A TO-247ACMOSFET MOSFT 250V 57A 33mOhm 99nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 57 A |
| Id-连续漏极电流 | 57 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP4332PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFP4332PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 360 W |
| Pd-功率耗散 | 360 W |
| Qg-GateCharge | 99 nC |
| Qg-栅极电荷 | 99 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 33 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5860pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 35A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 功率-最大值 | 360W |
| 功率耗散 | 360 W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 33 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极电荷Qg | 99 nC |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 100 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 250 V |
| 漏极连续电流 | 57 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 57A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfp4332pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfp4332pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 30 V |
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