ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDMC86520L
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDMC86520L产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC86520L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC86520L价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC86520L封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 13.5A(Ta),22A(Tc) 2.3W(Ta),40W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)。您可以下载FDMC86520L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC86520L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC86520L 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: FDMC86520L 适用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、降压/升压转换器和开关模式电源(SMPS)。其低导通电阻(Rds(on))特性可以降低功耗,提高效率。 2. 电机驱动: 在小型电机驱动中,该 MOSFET 可用于控制电机的启停、速度和方向。其快速开关特性和高电流处理能力使其非常适合低电压电机驱动电路。 3. 负载开关: 作为负载开关,FDMC86520L 可以在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中实现高效电源切换,同时减少开关损耗。 4. 电池管理系统 (BMS): 在电池保护和管理系统中,这款 MOSFET 可用作电池充放电路径的开关,确保过流、短路和过热保护功能的实现。 5. 工业自动化: 在工业控制领域,FDMC86520L 可用于继电器替代、信号隔离和驱动高功率负载等场合,提供稳定可靠的性能。 6. 消费电子产品: 它广泛应用于消费类电子产品中,例如音频放大器、LED 驱动器和家电控制模块,支持高效能和小尺寸设计需求。 7. 通信设备: 在通信基础设施中,如基站和网络路由器,这款 MOSFET 可用于电源分配和信号调节电路。 总结来说,FDMC86520L 的高性能参数(如低 Rds(on)、高开关速度和出色的热性能)使其成为许多需要高效能、紧凑设计和可靠运行的应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 13.5A 8MLPMOSFET 60V N-Chnl Pwr Trench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 13.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC86520LPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMC86520L |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.3 W |
| Pd-功率耗散 | 2.3 W |
| Qg-GateCharge | 45 nC |
| Qg-栅极电荷 | 45 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
| 上升时间 | 5.2 ns |
| 下降时间 | 3.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4550pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 64nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.9 毫欧 @ 13.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-MLP(3.3X3.3),Power33 |
| 其它名称 | FDMC86520LCT |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 210 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 封装/箱体 | MLP-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 49 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13.5A (Ta), 22A (Tc) |
| 系列 | FDMC86520 |
| 配置 | Single |