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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC8886由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC8886价格参考。Fairchild SemiconductorFDC8886封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDC8886参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC8886 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDC8886是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于各种电力电子领域。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:FDC8886适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)等应用中,作为高效的开关元件。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于降低功耗并提高系统效率。 2. 电机驱动:该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,实现对电机速度和方向的精确控制。其快速开关特性和低损耗使其非常适合高频驱动应用。 3. 负载开关:在便携式设备如智能手机、平板电脑和其他消费电子产品中,FDC8886可以用作负载开关,以保护电路免受过流、短路等异常情况的影响。 4. 电池管理:在电池供电系统中,这款MOSFET可以用于电池保护电路,防止过度充放电,并确保电池安全运行。此外,它也可用作充电路径中的开关。 5. 信号切换:在通信设备和工业控制系统中,FDC8886可用作信号切换的高性能开关,支持高速数据传输的同时保持较低的信号失真。 6. 逆变器与UPS:在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等应用中,这款MOSFET能够提供稳定可靠的功率转换功能,满足高效率和高可靠性的要求。 综上所述,FDC8886凭借其优异的电气性能和紧凑封装设计,成为众多电力电子应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOTMOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC8886PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDC8886 |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
Pd-功率耗散 | 1.6 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 36 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 36 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 465pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 23 毫欧 @ 6.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-SSOT |
其它名称 | FDC8886DKR |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 36 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 36 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
封装/箱体 | SSOT-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 6.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.5A (Ta), 8A (Tc) |
系列 | FDC8886 |