Datasheet下载- 型号： SUD50N03-09P-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD50N03-09P-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD50N03-09P-E3价格参考。VishaySUD50N03-09P-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SUD50N03-09P-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUD50N03-09P-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUD50N03-09P-E3 是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于单MOSFET晶体管。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中，尤其在低压大电流输出场合表现优异，如服务器、通信设备和工业电源模块。 2. 电机驱动：适用于小型直流电机、步进电机的控制电路，常见于家电、电动工具和工业自动化设备中。 3. 负载开关与电源管理：可作为高端或低端开关，用于电池供电设备中的电源通断控制，如便携式设备、笔记本电脑和移动电源。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中用于功率切换，提升转换效率并降低功耗。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、LED照明驱动等对可靠性要求较高的环境（需配合适当保护电路）。 SUD50N03-09P-E3 采用先进的沟槽技术，具备优良的导通特性和抗雪崩能力，工作电压为30V，连续漏极电流可达50A，适合紧凑型高功率密度设计。其TO-263（D²PAK）封装便于散热，适用于表面贴装工艺，适合自动化生产。总体而言，该MOSFET在消费电子、工业控制和汽车电子等领域具有广泛适用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 63A TO252MOSFET 30V 63A 65.2W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 63 A |
| Id-连续漏极电流 | 63 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUD50N03-09P-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUD50N03-09P-E3SUD50N03-09P-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 7.5 W |
| Pd-功率耗散 | 7.5 W |
| Qg-栅极电荷 | 45 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 其它名称 | SUD50N03-09P-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 65.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 9.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 63 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 63A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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