Datasheet下载- 型号： IXFH160N15T2
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH160N15T2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH160N15T2价格参考。IXYSIXFH160N15T2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFH160N15T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH160N15T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH160N15T2是一款高功率MOSFET晶体管，主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性，适合用于以下场景： 1. 工业电源与UPS系统：用于不间断电源（UPS）中的DC-AC逆变器或DC-DC转换器，提供高效、稳定的电能转换。 2. 电机驱动与变频器：适用于工业电机控制、伺服驱动器和变频器中，作为功率开关，实现对电机速度和转矩的精确控制。 3. 新能源领域：如太阳能逆变器和储能系统中，用于实现高效的能量转换与管理。 4. 电动汽车充电设备：在EV充电模块中作为主开关元件，支持高效率和高频率工作。 5. 高功率LED照明电源：用于大功率LED驱动电源中，提升系统效率和可靠性。 6. 开关电源（SMPS）：适用于通信电源、服务器电源等高性能开关电源设计。 该MOSFET采用TO-264封装，便于散热，适合在高功率密度和高温环境下工作，是工业及高可靠性应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 160 A |
| Id-连续漏极电流 | 160 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH160N15T2TrenchT2™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFH160N15T2 |
| Pd-PowerDissipation | 880 W |
| Pd-功率耗散 | 880 W |
| Qg-GateCharge | 253 nC |
| Qg-栅极电荷 | 253 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 26 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 253nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 80A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXFH） |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 880W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | TrenchT2, HiperFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 80 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 160A （Tc） |
| 系列 | IXFH160N15 |
| 通道模式 | Enhancement |
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