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  • 型号: UPA2766T1A-E2-AY
  • 制造商: RENESAS ELECTRONICS
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UPA2766T1A-E2-AY产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供UPA2766T1A-E2-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UPA2766T1A-E2-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSUPA2766T1A-E2-AY封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 130A(Tc) 1.5W(Ta),83W(Tc) 8-HVSON(5.4x5.15)。您可以下载UPA2766T1A-E2-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UPA2766T1A-E2-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N CH 30V 130A HVSON 6051

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Renesas Electronics America

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产品型号

UPA2766T1A-E2-AY

PCN组件/产地

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PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

10850pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

257nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.82 毫欧 @ 39A, 4.5V

供应商器件封装

8-HVSON (5.4x5.15)

其它名称

UPA2766T1A-E2-AYTR
UPA2766T1AE2AY

功率-最大值

83W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-PowerVDFN

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

130A (Tc)

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