ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRF6626TR1
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRF6626TR1产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6626TR1由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6626TR1价格参考。International RectifierIRF6626TR1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta),72A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET™ ST。您可以下载IRF6626TR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF6626TR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRF6626TR1是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和高电流承载能力,适合用于中高功率场合。 典型应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于提高能量转换效率并减小体积。 2. 电机驱动:在无刷直流电机(BLDC)或步进电机控制电路中作为功率开关,实现电机的高效调速与控制。 3. 电池管理系统:应用于电动工具、电动车、储能系统等,作为充放电回路的开关元件。 4. 负载开关与热插拔控制:用于服务器、通信设备中控制电源通断,防止电流冲击。 5. 逆变器:如UPS(不间断电源)、太阳能逆变器等,用于将直流电转换为交流电。 该MOSFET采用表面贴装封装(如D2PAK),便于散热和自动化生产,适用于工业级工作温度范围。其高频特性也使其适合用于谐振变换器或同步整流电路中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6626TR1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2380pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.4 毫欧 @ 16A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ ST |
| 其它名称 | IRF6626TR1TR |
| 功率-最大值 | 2.2W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 ST |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Ta), 72A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6626.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6626.spi |