Datasheet下载- 型号： AUIRFS3207Z
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AUIRFS3207Z由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AUIRFS3207Z价格参考。International RectifierAUIRFS3207Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AUIRFS3207Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AUIRFS3207Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AUIRFS3207Z 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的一款MOSFET晶体管，属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 汽车电子 AUIRFS3207Z 特别适合汽车领域的应用，例如电动助力转向系统（EPS）、制动系统、空调压缩机驱动以及车载充电器等。由于其符合AEC-Q101标准，能够在恶劣的汽车环境中稳定工作，因此广泛用于汽车电源管理和电机控制。 2. 直流-直流转换器 (DC-DC Converter) 该器件可用于设计高效的降压或升压转换器。其低导通电阻特性有助于减少传导损耗，提高整体转换效率，适用于便携式设备、通信设备及工业电源等领域。 3. 电机驱动 在无刷直流电机（BLDC）和其他类型电机的驱动电路中，AUIRFS3207Z 可作为功率级开关元件，实现精确的速度控制和高效的能量传输。 4. 开关电源 (Switching Power Supply, SMPS) 这款 MOSFET 适用于各种开关电源的设计，如适配器、充电器和工业用开关电源。其快速开关特性和低损耗使其成为高频开关应用的理想选择。 5. 电池管理系统 (BMS) 在电动汽车或储能系统的电池管理模块中，AUIRFS3207Z 可用于电池组的充放电控制和保护电路，确保电流平稳流动并防止过流或短路。 6. 逆变器与太阳能微逆变器 该器件可应用于小型逆变器或太阳能微逆变器中，用于将直流电转换为交流电，支持绿色能源解决方案。 7. 负载开关与保护电路 在需要频繁切换负载的应用中，AUIRFS3207Z 提供了可靠的开关功能，同时具备低功耗特性，适用于消费电子和工业设备中的负载管理。 总结来说，AUIRFS3207Z 凭借其高性能参数和可靠性，非常适合于汽车、工业、消费类电子产品以及可再生能源领域中的各种功率转换和控制任务。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 170A D2PAKMOSFET 75V 170A 4.1 mOhm Automotive MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 170 A |
| Id-连续漏极电流 | 170 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier AUIRFS3207ZHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | AUIRFS3207Z |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Qg-GateCharge | 120 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 68 ns |
| 下降时间 | 68 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6920pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.1 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 280 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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