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  • 型号: RDR005N25TL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RDR005N25TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RDR005N25TL价格参考。ROHM SemiconductorRDR005N25TL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RDR005N25TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RDR005N25TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RDR005N25TL 是由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有 250V 的高耐压能力,适用于多种电力电子应用场合。以下是其主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS)  
   RDR005N25TL 可用作开关电源中的主开关管或同步整流管,适合于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等电路。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高效率并降低功耗。

2. 电机驱动  
   在中小功率电机驱动系统中,该 MOSFET 可用于控制电机的启动、停止和调速。例如,步进电机、无刷直流电机(BLDC)或有刷直流电机的驱动电路。

3. 逆变器  
   适用于小型太阳能逆变器或其他类型的逆变器,用于将直流电转换为交流电。其高电压耐受能力使其能够应对复杂的电气环境。

4. 负载开关  
   在需要高效负载切换的应用中,如工业设备、家用电器或汽车电子,RDR005N25TL 可作为负载开关以实现快速且低损耗的电流控制。

5. 保护电路  
   由于其高耐压特性和良好的热稳定性,该器件可用于过流保护、短路保护以及电子保险丝等设计,确保系统在异常情况下安全运行。

6. LED 驱动  
   在高亮度 LED 照明系统中,该 MOSFET 可用于恒流驱动电路,提供精确的电流控制并支持调光功能。

7. 电池管理系统(BMS)  
   用于电池充放电管理,特别是在电动车、储能系统或便携式设备中,充当电池的充放电开关或均衡电路的一部分。

总结来说,RDR005N25TL 凭借其高耐压、低导通电阻和优异的电气性能,非常适合应用于开关电源、电机驱动、逆变器、负载开关、保护电路、LED 驱动以及电池管理系统等领域,尤其在需要高可靠性和高效能的场景下表现突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 250V 500MA SC-96-3MOSFET Nch 250V 500mA MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

500 mA

Id-连续漏极电流

0.5 A

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RDR005N25TL-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

RDR005N25TL

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

250 V

Vds-漏源极击穿电压

250 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

-

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TSMT3

其它名称

RDR005N25TLDKR

功率-最大值

1W

包装

Digi-Reel®

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-96

封装/箱体

TSMT-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

250 V

漏极连续电流

500 mA

漏源极电压(Vdss)

250V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

500mA (Ta)

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