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Datasheet下载- 型号： IRF2804SPBF
- 制造商： International Rectifier
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IRF2804SPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF2804SPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF2804SPBF价格参考。International RectifierIRF2804SPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF2804SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF2804SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF2804SPBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于多种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：IRF2804SPBF常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器（DC-DC converters），能够高效地进行电压转换和电流控制。它在这些应用中可以作为开关元件，通过快速导通和关断来实现高效的能量传输。 2. 电机驱动：该器件适用于各种电机驱动电路，如步进电机、无刷直流电机（BLDC）等。它可以提供足够的电流驱动能力，同时具备低导通电阻（Rds(on)），有助于减少发热并提高效率。 3. 逆变器与变频器：在太阳能逆变器和工业变频器中，IRF2804SPBF可用于构建H桥或半桥拓扑结构，实现交流电和直流电之间的转换。其出色的开关性能和耐压能力使其能够在高频率下稳定工作。 4. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车（EV）和储能系统中，IRF2804SPBF可用于电池保护电路，确保电池组的安全运行。它可以快速响应过流、短路等异常情况，从而保护电池免受损坏。 5. 消费电子产品：在一些便携式设备如笔记本电脑适配器、智能手机充电器等中，IRF2804SPBF也发挥着重要作用。它能够帮助设计更紧凑、高效的电源解决方案，满足现代消费电子产品的高性能需求。 总之，IRF2804SPBF凭借其优异的电气特性和可靠性，成为众多电力电子应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAKMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 160nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 280 A |
| Id-连续漏极电流 | 280 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF2804SPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF2804SPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 330 W |
| Pd-功率耗散 | 330 W |
| Qg-GateCharge | 160 nC |
| Qg-栅极电荷 | 160 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 120 ns |
| 下降时间 | 130 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 240nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 130 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 功率耗散 | 330 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.3 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 160 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 280 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf2804_s_l.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf2804_s_l.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
