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  • 型号: IPB136N08N3 G
  • 制造商: Infineon
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IPB136N08N3 G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB136N08N3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB136N08N3 G价格参考。InfineonIPB136N08N3 G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 80V 45A(Tc) 79W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载IPB136N08N3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPB136N08N3 G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

英飞凌(Infineon Technologies)型号为 IPB136N08N3 G 的MOSFET属于高性能功率场效应晶体管,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。其主要应用场景包括:

1. 电源管理系统:用于服务器、通信设备和工业电源中的DC-DC转换器,提高能源转换效率并减小体积。

2. 电机驱动器:适用于无刷直流电机(BLDC)和永磁同步电机(PMSM)驱动,常见于电动工具、家用电器及工业自动化设备。

3. 汽车电子:用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)及48V轻混系统中,支持节能与高效能需求。

4. 太阳能逆变器:在光伏系统中作为关键开关元件,提升逆变器效率与稳定性。

5. 消费电子产品:如高效率适配器、充电器和LED照明驱动电路中,实现节能与小型化设计。

该MOSFET具备低导通电阻、高耐压特性及优良的热性能,适用于高频开关应用,是多种功率转换系统的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

45 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB136N08N3 GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP139N08N3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8a77e3656c2

产品型号

IPB136N08N3 G

Pd-PowerDissipation

79 W

Pd-功率耗散

79 W

RdsOn-漏源导通电阻

13.6 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

35 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 33µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1730pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

25nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

13.6 毫欧 @ 45A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO263-2

其它名称

IPB136N08N3 GCT

典型关闭延迟时间

18 ns

功率-最大值

79W

包装

剪切带 (CT)

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

导通电阻

13.9 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

TO-263-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

80 V

漏极连续电流

53 A

漏源极电压(Vdss)

80V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

45A (Tc)

系列

IPB136N08

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPB136N08N3GATMA1 SP000447512

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