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IPB136N08N3 G产品简介:
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英飞凌(Infineon Technologies)型号为 IPB136N08N3 G 的MOSFET属于高性能功率场效应晶体管,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理系统:用于服务器、通信设备和工业电源中的DC-DC转换器,提高能源转换效率并减小体积。 2. 电机驱动器:适用于无刷直流电机(BLDC)和永磁同步电机(PMSM)驱动,常见于电动工具、家用电器及工业自动化设备。 3. 汽车电子:用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)及48V轻混系统中,支持节能与高效能需求。 4. 太阳能逆变器:在光伏系统中作为关键开关元件,提升逆变器效率与稳定性。 5. 消费电子产品:如高效率适配器、充电器和LED照明驱动电路中,实现节能与小型化设计。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压特性及优良的热性能,适用于高频开关应用,是多种功率转换系统的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 45 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB136N08N3 GOptiMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP139N08N3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8a77e3656c2 |
产品型号 | IPB136N08N3 G |
Pd-PowerDissipation | 79 W |
Pd-功率耗散 | 79 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 13.6 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 35 ns |
下降时间 | 5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 33µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1730pF @ 40V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13.6 毫欧 @ 45A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
其它名称 | IPB136N08N3 GCT |
典型关闭延迟时间 | 18 ns |
功率-最大值 | 79W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | OptiMOS |
安装类型 | 表面贴装 |
导通电阻 | 13.9 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | TO-263-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 80 V |
漏极连续电流 | 53 A |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 45A (Tc) |
系列 | IPB136N08 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | IPB136N08N3GATMA1 SP000447512 |