Datasheet下载- 型号： IRFHM8342TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM8342TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM8342TRPBF价格参考。International RectifierIRFHM8342TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFHM8342TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHM8342TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFHM8342TRPBF的MOSFET，属于功率MOSFET类别，常用于高效率、高频开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和良好热性能，适用于对能效和空间布局有较高要求的场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，适用于通信设备、服务器电源和工业电源系统。 2. 电机控制：用于无刷直流电机（BLDC）驱动、电动工具、电动车控制系统等，提供高效能和稳定开关性能。 3. 汽车电子：如车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）、车身控制模块等，满足汽车应用对可靠性和效率的高要求。 4. 消费类电子产品：例如高效率适配器、笔记本电脑电源管理模块、智能家电中的功率控制部分。 5. 工业自动化：包括PLC（可编程逻辑控制器）、工业电源、照明控制系统等，支持高频率开关以减小系统体积。 该MOSFET采用Trench沟槽技术，优化了导通损耗和开关损耗的平衡，适合高频、高效功率转换应用。其封装形式（如PowerPAK）有助于提高散热性能，适合表面贴装，便于自动化生产。 综上，IRFHM8342TRPBF适用于对效率、体积和可靠性有综合要求的中高功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFNMOSFET 30V 3.8nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHM8342TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFHM8342TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.6 W |
| Pd-功率耗散 | 2.6 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 5.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 17A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 其它名称 | IRFHM8342TRPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 7.6 ns |
| 功率-最大值 | 2.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | SmallPowIR |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 3X3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 19 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
| 系列 | IRFHM8342 |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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