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  • 型号: 2N7002W-TP
  • 制造商: MCC
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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2N7002W-TP产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002W-TP由MCC设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002W-TP价格参考。MCC2N7002W-TP封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323。您可以下载2N7002W-TP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N7002W-TP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323MOSFET SNGL N-CH 60V 115mA

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

115 mA

Id-连续漏极电流

115 mA

品牌

Micro Commercial Co

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Micro Commercial Components (MCC) 2N7002W-TP-

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产品型号

2N7002W-TP

Pd-PowerDissipation

200 mW

Pd-功率耗散

200 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

13.5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

13.5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

70 V

Vds-漏源极击穿电压

70 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

50pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.5 欧姆 @ 50mA,5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24932

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

2N7002W-TPMSTR
2N7002WTP

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

商标

Micro Commercial Components (MCC)

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

80 ms

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

115mA(Ta)

系列

2N7002

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