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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK654R6-55C,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK654R6-55C,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK654R6-55C,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK654R6-55C,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK654R6-55C,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BUK654R6-55C,127 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,属于晶体管中的 FET(场效应晶体管)类别。该器件具有低导通电阻(Rds(on) 典型值约 4.5mΩ)、高电流承载能力和优良的热性能,适用于需要高效能功率转换的场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块(VRM),在服务器、通信设备和工业电源中实现高效电能转换。 2. 电机驱动:适用于工业自动化、电动工具和家用电器中的直流电机或步进电机控制,因其低损耗特性可提升系统效率并减少发热。 3. 照明系统:用于LED 驱动电源,特别是在高亮度 LED 照明和汽车照明中,支持稳定电流输出与高效调光功能。 4. 消费电子:常见于笔记本电脑、游戏主机和显示器的电源电路中,提供可靠的功率开关功能。 5. 汽车电子:虽非车规级主控器件,但在部分车载辅助电源系统或车载充电器中也可应用,需配合保护电路使用。 BUK654R6-55C,127 采用 LFPAK 封装(类似 D²PAK),具备良好的散热性能和机械可靠性,适合自动化贴装,广泛应用于中高功率密度设计中。其快速开关特性有助于减小外围元件尺寸,提升整体系统能效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH TO220ABMOSFET N-CHAN 55V 100A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK654R6-55C,127TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK654R6-55C,127 |
| Pd-PowerDissipation | 204 W |
| Pd-功率耗散 | 204 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 124nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.4 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-7500-5 |
| 功率-最大值 | 204W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tmb) |
| 配置 | Single |