Datasheet下载- 型号： SIR846DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR846DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR846DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR846DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIR846DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR846DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIR846DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。以下是该型号的应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：适用于降压、升压或升降压转换器中的开关元件，用于高效地调节电压。 - 负载开关：作为负载开关控制电路的通断，实现快速响应和低导通电阻（Rds(on)）以减少功耗。 - 电池管理系统 (BMS)：用于电池充放电保护、电流限制和过流保护。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：在消费电子、家用电器中用于驱动小型风扇、泵等设备。 - H桥电路：在机器人、玩具等应用中实现电机的正转、反转和刹车功能。 3. 信号切换 - 信号路径切换：在多路复用器或信号选择器中用作开关，确保信号的可靠传输。 - 音频信号切换：在音频设备中切换不同的输入源，同时保持低噪声性能。 4. 保护电路 - 过流保护：利用其快速开关特性和低导通电阻特性，设计过流保护电路。 - 短路保护：通过检测异常电流并迅速切断电路，防止损坏其他元器件。 5. 便携式设备 - 智能手机和平板电脑：用于充电管理、屏幕背光驱动等功能。 - 可穿戴设备：在低功耗设计中，提供高效的开关和调节功能。 6. 工业自动化 - 传感器接口：在工业控制系统中，作为传感器信号的开关或放大器驱动。 - 继电器替代：由于其快速开关速度和长寿命，可以替代传统机械继电器。 7. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频功率放大器、显示屏驱动等。 - 车身控制模块 (BCM)：用于灯光控制、门窗控制等低功率应用。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on))：降低功耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用场合。 - 小型封装 (TSSOP-6)：节省PCB空间，便于紧凑设计。 综上所述，SIR846DP-T1-GE3广泛应用于需要高效开关、低功耗和小型化设计的各种领域，特别适合消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8MOSFET 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR846DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR846DP-T1-GE3SIR846DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| Qg-GateCharge | 47.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 47.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2870pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR846DP-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 36 ns |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 56 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-thunderfet/1150 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIR846DP-GE3 |
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